■ テーマ例 ■
[ Solar ]
1. 4 junction by wafer bonding /
2. High-speed MOVPE /
3. EL and PL characterization /
4. Thin-film multi-junction (design and light trapping) /
5. 1.15 eV middle cell with MQWs /
6. Theoretical modeling of MQWs (quasi bulk approach and cell design) /
7. WoW /
8. ELO /
9. Dilute nitride MQW
[ Growth ]
1. III-V on Si photo detector /
2. III-V on Si solar cell
[ LED ]
1. Chip-white LED
[ Solar Fuel ]
1. CPV + water electrolysis /
2. CO2 reduction /
3. Semiconductor/electrolyte interface /
4. Polarization-controlled nitride photocathode /
5. Design of energy management system using hydrogen-based power storage
[ Quantum Modeling ]
1. Quantum modeling of insulators
Si上選択成長によるInGaAs microdisc形成メカニズム解明とその赤外受光器への応用
渡邉 冬馬，中野 義昭，杉山 正和
InGaAsは赤外発光・受光素子の材料として様々な場面で使用されてきているが，使用される成長基板がInPであることから，小面積・高価格であるという問題点が知られている．そのため，大面積・低価格なSi基板上にIII-V化合物半導体を積層する技術が研究されており，その手法の1つとして，SiO2でパターニングされたSi基板を用いる微小領域選択成長法がある．これは，Si基板上に数μmの大きさを持つmicrodiscをモノリシックに成膜できる手法として注目を浴びている．結晶成長条件がmicrodiscへ与える影響を定量的に議論することにより，microdiscへの原料取込みメカニズムを解明し，均一なmicrodiscの作製を目指している．本技術を用いて，不純物ドーピングによりInGaAsのｐｎ接合を形成し，Si回路と集積されたマルチチャンネルInGaAs赤外受光器の実現を目指している．
図 InGaAs microdisc on Siの模式図と走査電子顕微鏡像