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Top > Research > Solar : 4 junction by wafer bonding

Updated August 21, 2017

■ テーマ ■

TBAs, TBP原料を用いた
大型MOVPE装置によるInGaAs(P)の結晶成長と太陽電池応用

H. Sodabanlu,渡辺 健太郎,杉山 正和,中野 義昭

InGaAsP混晶は1.3 - 1.55 µmの波長帯をカバーできるため,光デバイス用途に用いられてきた.近年,InGaAsPは超高効率のウエハ接合を用いた4接合太陽電池(図1)におけるボトム2セルの材料としても重要になっている.私たちは,バンドギャップ0.74 eVのInGaAsと1.04 eVのInGaAsPをそれぞれ光吸収層に用いた太陽電池を作製し,4接合太陽電池への応用を目指している.このための結晶成長法として,AsH3やPH3よりも毒性の低い有機V族原料,TBAsとTBP(TB:ターシャリーブチル)を用いた有機金属気相成長(MOVPE)プロセスを構築した.InP基板上のナローギャップ2接合セルが完成し,GaAs基板上のトップ2セルとのウエハ接合による4接合セル作製にチャレンジしている.


図1 ウエハ接合による4接合太陽電池の構造

図2 バンドギャップ0.74 eVのInGaAsと1.04 eVのInGaAsPをそれぞれ光吸収層に用いた太陽電池のAM 1.5光照射下の電流電圧特性および外部量子効率
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